Компания Micron Technology приурочила к выставке Mobile World Congress (MWC) 2018, проходящей сейчас в Барселоне (Испания), анонс новых чипов флеш-памяти 3D NAND для мобильных устройств.
64-слойные изделия 3D NAND второго поколения используют технологию TLC (Triple Level Cell). Она позволяет хранить три бита информации в одной ячейке.
Чипы выполнены в соответствии со спецификацией Universal Flash Storage (UFS) 2.1. Напомним, что UFS — это общая спецификация флеш-накопителей для различных устройств. По сравнению с памятью eMMC, чипы UFS обеспечивают существенное увеличение производительности при одновременном снижении потребляемой энергии.
Новые изделия Micron представлены в трёх вариантах вместимости — 64, 128 и 256 Гбайт. Утверждается, что чипы обеспечивают прирост быстродействия до 50 % по сравнению с решениями предыдущего поколения.
Сообщается, что анонсированные 64-слойные чипы TLC 3D NAND рассчитаны на использование во флагманских смартфонах и фаблетах. О сроках начала поставок пока ничего не сообщается.
Компания Micron Technology приурочила к выставке Mobile World Congress (MWC) 2018, проходящей сейчас в Барселоне (Испания), анонс новых чипов флеш-памяти 3D NAND для мобильных устройств. 64-слойные изделия 3D NAND второго поколения используют технологию TLC (Triple Level Cell). Она позволяет хранить три бита информации в одной ячейке. Чипы выполнены в соответствии со спецификацией Universal Flash Storage (UFS) 2.1. Напомним, что UFS — это общая спецификация флеш-накопителей для различных устройств. По сравнению с памятью eMMC, чипы UFS обеспечивают существенное увеличение производительности при одновременном снижении потребляемой энергии. Новые изделия Micron представлены в трёх вариантах вместимости — 64, 128 и 256 Гбайт. Утверждается, что чипы обеспечивают прирост быстродействия до 50 % по сравнению с решениями предыдущего поколения. Сообщается, что анонсированные 64-слойные чипы TLC 3D NAND рассчитаны на использование во флагманских смартфонах и фаблетах. О сроках начала поставок пока ничего не сообщается.
