Samsung первой приблизилась к выпуску 28-нм eMRAM на подложках FD-SOI - «Новости сети»
В России заработал ИИ-режим от Google - «Новости мира Интернет»
В России заработал ИИ-режим от Google - «Новости мира Интернет»
YouTube представил крупнейшее обновление интерфейса видеоплеера за последние годы - «Новости мира Интернет»
YouTube представил крупнейшее обновление интерфейса видеоплеера за последние годы - «Новости мира Интернет»
Apple представила новые MacBook Pro, iPad Pro и Vision Pro на процессоре М5 - «Новости мира Интернет»
Apple представила новые MacBook Pro, iPad Pro и Vision Pro на процессоре М5 - «Новости мира Интернет»
Microsoft добавила новые ИИ-функции для Copilot в Windows 11 - «Новости мира Интернет»
Microsoft добавила новые ИИ-функции для Copilot в Windows 11 - «Новости мира Интернет»
Honor представила концепт смартфона Robot Phone с робокамерой и ИИ - «Новости мира Интернет»
Honor представила концепт смартфона Robot Phone с робокамерой и ИИ - «Новости мира Интернет»
WhatsApp введёт лимит на безответные сообщения, чтобы бороться со спамом - «Новости сети»
WhatsApp введёт лимит на безответные сообщения, чтобы бороться со спамом - «Новости сети»
Интерес к ChatGPT на смартфонах стал угасать — пользователи проводят в приложении всё меньше времени - «Новости сети»
Интерес к ChatGPT на смартфонах стал угасать — пользователи проводят в приложении всё меньше времени - «Новости сети»
Игровой ноутбук Redmagic Titan 16 Pro 2026 за $4209 получил чип Core Ultra 9 275HX и графику GeForce RTX 5090 - «Новости сети»
Игровой ноутбук Redmagic Titan 16 Pro 2026 за $4209 получил чип Core Ultra 9 275HX и графику GeForce RTX 5090 - «Новости сети»
Представлены первые в мире смартфоны с активным жидкостным кулером и не только — геймерские Redmagic 11 Pro и Pro+ - «Новости сети»
Представлены первые в мире смартфоны с активным жидкостным кулером и не только — геймерские Redmagic 11 Pro и Pro+ - «Новости сети»
Maxsun представила компактную плату с изнаночным разъёмом для видеокарт — MS-Terminator B850 BKB WiFi - «Новости сети»
Maxsun представила компактную плату с изнаночным разъёмом для видеокарт — MS-Terminator B850 BKB WiFi - «Новости сети»
Новости мира Интернет » Новости » Новости мира Интернет » Samsung первой приблизилась к выпуску 28-нм eMRAM на подложках FD-SOI - «Новости сети»

  1. Все предыдущие годы главными шагами по развитию производства полупроводников оставалась смена масштаба технологических норм. Сегодня, когда уменьшить размер элемента на кристалле становится предельно трудно, популярность обретают обходные пути, в частности, переход на полупроводниковые пластины с изолирующим слоем из полностью обеднённого кремния или FD-SOI. Пластины FD-SOI в производстве уже активно использует компания STMicroelectronics и готовятся использовать компании GlobalFoundries и Samsung.

  2. Samsung первой приблизилась к выпуску 28-нм eMRAM на подложках FD-SOI - «Новости сети»

  3. На прошлой неделе мы познакомились с планами GlobalFoundries, которая начнёт рисковое производство с техпроцессом 22FDX (22 нм) в конце 2018 года. Компания Samsung, как стало известно из свежего официального сообщения производителя, вскоре планирует приступить к массовому выпуску решений с использованием фирменного техпроцесса 28FDS (28 нм). Обратим ваше внимание, что техпроцессы GlobalFoundries и Samsung отличаются, хотя в случае обработки монолитного кремния GlobalFoundries лицензировала у Samsung техпроцессы с нормами 28 нм и 14 нм FinFET. Техпроцесс 22FDX компания GlobalFoundries лицензировала у STMicroelectronics.

  4. Samsung первой приблизилась к выпуску 28-нм eMRAM на подложках FD-SOI - «Новости сети»

  5. Возвращаясь к анонсу Samsung, отметим, что производитель сообщил о создании первого в индустрии цифрового проекта встроенной памяти eMRAM применительно к техпроцессу 28FDS. Тем самым выпуск опытного блока eMRAM с нормами 28 нм на пластинах FD-SOI можно ожидать в конце весны или в начале лета следующего года. Массовое производство решений, очевидно, стартует ближе к концу 2018 года, когда GlobalFoundries только-только увидит первые опытные решения, выпускаемые с техпроцессом 22FDX.

  6. Samsung первой приблизилась к выпуску 28-нм eMRAM на подложках FD-SOI - «Новости сети»


    Информация размещенная на сайте - «print-prime.ru»




  7. Компания GlobalFoundries, напомним, в техпроцессе 22FDX тоже будет выпускать решения со встроенной памятью eMRAM. Магниторезистивная память с произвольным доступом (MRAM) работает со скоростью, близкой к скорости обычной оперативной памяти. Большая площадь ячейки магниторезистивной памяти не позволяет выпускать ёмкие чипы MRAM, что тормозит её массовое появление в компьютерных системах. Начало производства 28-нм и 22-нм кристаллов MRAM обещает появление чипов ёмкостью от 1 Гбит и выше. Этого уже достаточно, чтобы те же SSD получили нормальный и энергонезависимый буфер памяти вместо привычной памяти DDR. И GlobalFoundries, и Samsung делают всё возможное, чтобы это стало реальностью после 2018 года.
Цитирование статьи, картинки - фото скриншот - Rambler News Service.
Иллюстрация к статье - Яндекс. Картинки.
Есть вопросы. Напишите нам.
Общие правила  поведения на сайте.

Все предыдущие годы главными шагами по развитию производства полупроводников оставалась смена масштаба технологических норм. Сегодня, когда уменьшить размер элемента на кристалле становится предельно трудно, популярность обретают обходные пути, в частности, переход на полупроводниковые пластины с изолирующим слоем из полностью обеднённого кремния или FD-SOI. Пластины FD-SOI в производстве уже активно использует компания STMicroelectronics и готовятся использовать компании GlobalFoundries и Samsung. На прошлой неделе мы познакомились с планами GlobalFoundries, которая начнёт рисковое производство с техпроцессом 22FDX (22 нм) в конце 2018 года. Компания Samsung, как стало известно из свежего официального сообщения производителя, вскоре планирует приступить к массовому выпуску решений с использованием фирменного техпроцесса 28FDS (28 нм). Обратим ваше внимание, что техпроцессы GlobalFoundries и Samsung отличаются, хотя в случае обработки монолитного кремния GlobalFoundries лицензировала у Samsung техпроцессы с нормами 28 нм и 14 нм FinFET. Техпроцесс 22FDX компания GlobalFoundries лицензировала у STMicroelectronics. Возвращаясь к анонсу Samsung, отметим, что производитель сообщил о создании первого в индустрии цифрового проекта встроенной памяти eMRAM применительно к техпроцессу 28FDS. Тем самым выпуск опытного блока eMRAM с нормами 28 нм на пластинах FD-SOI можно ожидать в конце весны или в начале лета следующего года. Массовое производство решений, очевидно, стартует ближе к концу 2018 года, когда GlobalFoundries только-только увидит первые опытные решения, выпускаемые с техпроцессом 22FDX. Информация размещенная на сайте - «print-prime.ru» Компания GlobalFoundries, напомним, в техпроцессе 22FDX тоже будет выпускать решения со встроенной памятью eMRAM. Магниторезистивная память с произвольным доступом (MRAM) работает со скоростью, близкой к скорости обычной оперативной памяти. Большая площадь ячейки магниторезистивной памяти не позволяет выпускать ёмкие чипы MRAM, что тормозит её массовое появление в компьютерных системах. Начало производства 28-нм и 22-нм кристаллов MRAM обещает появление чипов ёмкостью от 1 Гбит и выше. Этого уже достаточно, чтобы те же SSD получили нормальный и энергонезависимый буфер памяти вместо привычной памяти DDR. И GlobalFoundries, и Samsung делают всё возможное, чтобы это стало реальностью после 2018 года.

0

Смотрите также

А что там на главной? )))



Комментарии )))