Российская разработка может стать основой памяти ReRAM - «Новости сети»
Аналитики объяснили, почему эксклюзивы PlayStation продаются на ПК всё хуже и хуже - «Новости сети»
Аналитики объяснили, почему эксклюзивы PlayStation продаются на ПК всё хуже и хуже - «Новости сети»
Российские компании начали замораживать рекламу в Telegram после заявления ФАС - «Новости сети»
Российские компании начали замораживать рекламу в Telegram после заявления ФАС - «Новости сети»
Samsung собирается предложить пользователям смартфонов Galaxy инструмент для вайб-кодинга - «Новости сети»
Samsung собирается предложить пользователям смартфонов Galaxy инструмент для вайб-кодинга - «Новости сети»
Apple сообщила о прекращении производства сразу 15 продуктов - «Новости сети»
Apple сообщила о прекращении производства сразу 15 продуктов - «Новости сети»
Дефицит — это «просто чудесно», заявил глава Nvidia Дженсен Хуанг - «Новости сети»
Дефицит — это «просто чудесно», заявил глава Nvidia Дженсен Хуанг - «Новости сети»
YouTube приступает к показу обязательной к просмотру рекламы на телевизорах по всему миру - «Новости сети»
YouTube приступает к показу обязательной к просмотру рекламы на телевизорах по всему миру - «Новости сети»
«Первый достойный наследник Disco Elysium»: в Steam вышла фэнтезийная ролевая игра Esoteric Ebb, вдохновлённая Planescape: Torment - «Новости сети»
«Первый достойный наследник Disco Elysium»: в Steam вышла фэнтезийная ролевая игра Esoteric Ebb, вдохновлённая Planescape: Torment - «Новости сети»
Google представила Gemini 3.1 Flash-Lite — «самую быструю и экономически эффективную модель семейства» - «Новости сети»
Google представила Gemini 3.1 Flash-Lite — «самую быструю и экономически эффективную модель семейства» - «Новости сети»
«Первое хорошее обновление за три года»: легендарная CS:GO вернулась в Steam к радости фанатов - «Новости сети»
«Первое хорошее обновление за три года»: легендарная CS:GO вернулась в Steam к радости фанатов - «Новости сети»
Seagate приступила к массовым поставкам жёстких дисков семейства Mozaic 4+, обеспечивающих ёмкость до 44 Тбайт - «Новости сети»
Seagate приступила к массовым поставкам жёстких дисков семейства Mozaic 4+, обеспечивающих ёмкость до 44 Тбайт - «Новости сети»
Новости мира Интернет » Новости » Новости мира Интернет » Российская разработка может стать основой памяти ReRAM - «Новости сети»

  1. Специалисты Центра коллективного пользования Московского физико-технического института (МФТИ) предложили новую технологию, которая в перспективе может быть применена при изготовлении памяти ReRAM.

  2. Российская разработка может стать основой памяти ReRAM - «Новости сети»

  3. Напомним, что ReRAM (или RRAM) — это резистивная память с произвольным доступом. Изделия данного типа обеспечивают быстродействие, сопоставимое с DRAM, но при этом могут хранить информацию в отсутствии питания, то есть являются энергонезависимыми. Если сравнивать с флеш-памятью NAND, то чипы ReRAM оказываются существенно быстрее и расходуют меньше энергии в активном режиме.

  4. Принцип работы ReRAM заключается в изменении сопротивления ячейки памяти под действием приложенного напряжения. За счёт этого высокое и низкое сопротивления ячейки могут быть использованы для хранения информации.

  5. Функциональной основой ReRAM-ячейки является структура металл-диэлектрик-металл. В качестве диэлектрического слоя применяются оксиды переходных металлов (HfO2, Ta2O6). В этом случае приложенное к ячейке напряжение приводит к миграции кислорода, что вызывает изменение сопротивления всей структуры. Таким образом, управление концентрацией кислорода в оксиде является важнейшим параметром, который определяет функциональные свойства ячеек памяти.


  6. Российская разработка может стать основой памяти ReRAM - «Новости сети»


    Информация размещенная на сайте - «print-prime.ru»



  7. Однако на практике память ReRAM пока не может вытеснить широко распространённую NAND-флеш. Одна из причин заключается в том, что для производства флеш-памяти можно использовать трёхмерные массивы ячеек. В то же время методы создания плёнок с дефицитом кислорода, используемые для ReRAM, не подходят для нанесения функциональных слоёв на трёхмерные структуры.

  8. Российские учёные предлагают решить проблему за счёт метода атомно-слоевого осаждения — нанесения тонких плёнок, обусловленного протеканием химических реакций на поверхности образца. Исследователи уже научились управлять концентрацией кислорода в плёнках оксида тантала, получаемых посредством названного метода. Подробнее о работе можно узнать здесь.

Специалисты Центра коллективного пользования Московского физико-технического института (МФТИ) предложили новую технологию, которая в перспективе может быть применена при изготовлении памяти ReRAM. Напомним, что ReRAM (или RRAM) — это резистивная память с произвольным доступом. Изделия данного типа обеспечивают быстродействие, сопоставимое с DRAM, но при этом могут хранить информацию в отсутствии питания, то есть являются энергонезависимыми. Если сравнивать с флеш-памятью NAND, то чипы ReRAM оказываются существенно быстрее и расходуют меньше энергии в активном режиме. Принцип работы ReRAM заключается в изменении сопротивления ячейки памяти под действием приложенного напряжения. За счёт этого высокое и низкое сопротивления ячейки могут быть использованы для хранения информации. Функциональной основой ReRAM-ячейки является структура металл-диэлектрик-металл. В качестве диэлектрического слоя применяются оксиды переходных металлов (HfO2, Ta2O6). В этом случае приложенное к ячейке напряжение приводит к миграции кислорода, что вызывает изменение сопротивления всей структуры. Таким образом, управление концентрацией кислорода в оксиде является важнейшим параметром, который определяет функциональные свойства ячеек памяти. Информация размещенная на сайте - «print-prime.ru» Однако на практике память ReRAM пока не может вытеснить широко распространённую NAND-флеш. Одна из причин заключается в том, что для производства флеш-памяти можно использовать трёхмерные массивы ячеек. В то же время методы создания плёнок с дефицитом кислорода, используемые для ReRAM, не подходят для нанесения функциональных слоёв на трёхмерные структуры. Российские учёные предлагают решить проблему за счёт метода атомно-слоевого осаждения — нанесения тонких плёнок, обусловленного протеканием химических реакций на поверхности образца. Исследователи уже научились управлять концентрацией кислорода в плёнках оксида тантала, получаемых посредством названного метода. Подробнее о работе можно узнать здесь.

Цитирование статьи, картинки - фото скриншот - Rambler News Service.
Иллюстрация к статье - Яндекс. Картинки.
Есть вопросы. Напишите нам.
Общие правила  поведения на сайте.

Смотрите также

А что там на главной? )))



Комментарии )))