Российская разработка может стать основой памяти ReRAM - «Новости сети»
Сбер представил Kandinsky 6.0 Image: флагманскую модель, которая умеет профессионально редактировать фото - «Новости мира Интернет»
Сбер представил Kandinsky 6.0 Image: флагманскую модель, которая умеет профессионально редактировать фото - «Новости мира Интернет»
Resident Evil Requiem продаётся так хорошо, что Capcom пришлось повысить прогноз по выручке за год - «Новости сети»
Resident Evil Requiem продаётся так хорошо, что Capcom пришлось повысить прогноз по выручке за год - «Новости сети»
Microsoft запускает K2 — экстренный план по спасению репутации Windows 11 - «Новости сети»
Microsoft запускает K2 — экстренный план по спасению репутации Windows 11 - «Новости сети»
Steam Controller оказалось легко разобрать и отремонтировать - «Новости сети»
Steam Controller оказалось легко разобрать и отремонтировать - «Новости сети»
Сотня за секунду: Dreame показала гиперкар с реактивными ускорителями и твердотельной тяговой батареей - «Новости сети»
Сотня за секунду: Dreame показала гиперкар с реактивными ускорителями и твердотельной тяговой батареей - «Новости сети»
Исследование: полупроводники из оксида галлия работают при температуре ниже, чем в открытом космосе - «Новости сети»
Исследование: полупроводники из оксида галлия работают при температуре ниже, чем в открытом космосе - «Новости сети»
Вопреки опасениям фанатов, в Assassin’s Creed Black Flag Resynced всё-таки будет кровь и «даже не в виде платного DLC» - «Новости сети»
Вопреки опасениям фанатов, в Assassin’s Creed Black Flag Resynced всё-таки будет кровь и «даже не в виде платного DLC» - «Новости сети»
Режиссёр Resident Evil Requiem засветил продажи игры на фотографии с корпоратива Capcom - «Новости сети»
Режиссёр Resident Evil Requiem засветил продажи игры на фотографии с корпоратива Capcom - «Новости сети»
Запустился мессенджер XChat от Илона Маска — обещано сквозное шифрование, секретные чаты, звонки и встроенный Grok - «Новости сети»
Запустился мессенджер XChat от Илона Маска — обещано сквозное шифрование, секретные чаты, звонки и встроенный Grok - «Новости сети»
ИИ поставил человекоподобных роботов на коньки — такого хоккея мы от них не ждали - «Новости сети»
ИИ поставил человекоподобных роботов на коньки — такого хоккея мы от них не ждали - «Новости сети»
Новости мира Интернет » Новости » Новости мира Интернет » Российская разработка может стать основой памяти ReRAM - «Новости сети»

  1. Специалисты Центра коллективного пользования Московского физико-технического института (МФТИ) предложили новую технологию, которая в перспективе может быть применена при изготовлении памяти ReRAM.

  2. Российская разработка может стать основой памяти ReRAM - «Новости сети»

  3. Напомним, что ReRAM (или RRAM) — это резистивная память с произвольным доступом. Изделия данного типа обеспечивают быстродействие, сопоставимое с DRAM, но при этом могут хранить информацию в отсутствии питания, то есть являются энергонезависимыми. Если сравнивать с флеш-памятью NAND, то чипы ReRAM оказываются существенно быстрее и расходуют меньше энергии в активном режиме.

  4. Принцип работы ReRAM заключается в изменении сопротивления ячейки памяти под действием приложенного напряжения. За счёт этого высокое и низкое сопротивления ячейки могут быть использованы для хранения информации.

  5. Функциональной основой ReRAM-ячейки является структура металл-диэлектрик-металл. В качестве диэлектрического слоя применяются оксиды переходных металлов (HfO2, Ta2O6). В этом случае приложенное к ячейке напряжение приводит к миграции кислорода, что вызывает изменение сопротивления всей структуры. Таким образом, управление концентрацией кислорода в оксиде является важнейшим параметром, который определяет функциональные свойства ячеек памяти.


  6. Российская разработка может стать основой памяти ReRAM - «Новости сети»


    Информация размещенная на сайте - «print-prime.ru»



  7. Однако на практике память ReRAM пока не может вытеснить широко распространённую NAND-флеш. Одна из причин заключается в том, что для производства флеш-памяти можно использовать трёхмерные массивы ячеек. В то же время методы создания плёнок с дефицитом кислорода, используемые для ReRAM, не подходят для нанесения функциональных слоёв на трёхмерные структуры.

  8. Российские учёные предлагают решить проблему за счёт метода атомно-слоевого осаждения — нанесения тонких плёнок, обусловленного протеканием химических реакций на поверхности образца. Исследователи уже научились управлять концентрацией кислорода в плёнках оксида тантала, получаемых посредством названного метода. Подробнее о работе можно узнать здесь.

Специалисты Центра коллективного пользования Московского физико-технического института (МФТИ) предложили новую технологию, которая в перспективе может быть применена при изготовлении памяти ReRAM. Напомним, что ReRAM (или RRAM) — это резистивная память с произвольным доступом. Изделия данного типа обеспечивают быстродействие, сопоставимое с DRAM, но при этом могут хранить информацию в отсутствии питания, то есть являются энергонезависимыми. Если сравнивать с флеш-памятью NAND, то чипы ReRAM оказываются существенно быстрее и расходуют меньше энергии в активном режиме. Принцип работы ReRAM заключается в изменении сопротивления ячейки памяти под действием приложенного напряжения. За счёт этого высокое и низкое сопротивления ячейки могут быть использованы для хранения информации. Функциональной основой ReRAM-ячейки является структура металл-диэлектрик-металл. В качестве диэлектрического слоя применяются оксиды переходных металлов (HfO2, Ta2O6). В этом случае приложенное к ячейке напряжение приводит к миграции кислорода, что вызывает изменение сопротивления всей структуры. Таким образом, управление концентрацией кислорода в оксиде является важнейшим параметром, который определяет функциональные свойства ячеек памяти. Информация размещенная на сайте - «print-prime.ru» Однако на практике память ReRAM пока не может вытеснить широко распространённую NAND-флеш. Одна из причин заключается в том, что для производства флеш-памяти можно использовать трёхмерные массивы ячеек. В то же время методы создания плёнок с дефицитом кислорода, используемые для ReRAM, не подходят для нанесения функциональных слоёв на трёхмерные структуры. Российские учёные предлагают решить проблему за счёт метода атомно-слоевого осаждения — нанесения тонких плёнок, обусловленного протеканием химических реакций на поверхности образца. Исследователи уже научились управлять концентрацией кислорода в плёнках оксида тантала, получаемых посредством названного метода. Подробнее о работе можно узнать здесь.

Цитирование статьи, картинки - фото скриншот - Rambler News Service.
Иллюстрация к статье - Яндекс. Картинки.
Есть вопросы. Напишите нам.
Общие правила  поведения на сайте.

Смотрите также

А что там на главной? )))



Комментарии )))