Среди новых и перспективных видов энергонезависимой памяти особняком стоит резистивная память с произвольным доступом или ReRAM. Предложено множество вариантов реализации ячейки ReRAM, в простейшем случае рабочий слой которой должен изменять сопротивление линейным образом в широких пределах. Условно память ReRAM можно разбить на два вида. В одном случае сопротивление ячейки меняется за счёт образования в рабочем слое токопроводящих «нитей» из ионов металлов, а во втором случае сопротивление ячейки изменяется во всём рабочем слое. Австралийская компания 4DS Memory Limited как раз предлагает второй способ. По словам разработчиков из 4DS Memory, полное переключение рабочего слоя — Interface Switching ReRAM — позволит радикально упростить контроллеры памяти за счёт уменьшения числа ошибок чтения.
Информация размещенная на сайте - «print-prime.ru»
Фактически 4DS Memory говорит о памяти без коррекции ошибок как в случае обычной оперативной DRAM без ECC. Память типа ReRAM, MRAM и другие новые варианты энергонезависимой памяти должны занять промежуточное положение между NAND и DRAM — это так называемая память storage class memory (SCM). Проще говоря, оперативная память с возможностью хранить данные без потери после отключения питания. Сложный контроллер с коррекцией ошибок чтения только ухудшит параметры памяти SCM, которая по скорости работы должна стремиться к характеристикам DRAM.
Информация размещенная на сайте - «print-prime.ru»
Ранее в этом году специалисты компании 4DS Memory разработали и изготовили 40-нм ячейку фирменной памяти ReRAM. Но одно дело опытное производство в условиях лаборатории, и совсем другое массовое производство. Помочь компании создать коммерческий техпроцесс выпуска ReRAM взялся бельгийский исследовательский центр IMEC. По словам представителей центра, они планируют представить 40-нм техпроцесс выпуска ReRAM на 300-мм кремниевых подложках. Что важно, для выпуска ReRAM 4DS Memory планируется использовать обычные материалы и актуальное оборудование. Сегодня в опытах с новыми типами энергонезависимой памяти используется свыше половины элементов из таблицы Менделеева. Это всё интересно, но дорого при вводе в коммерческую эксплуатацию. В разработках важен «здоровый консерватизм», как выразились в IMEC. Что же, посмотрим, как это будет реализовано на практике.
Среди новых и перспективных видов энергонезависимой памяти особняком стоит резистивная память с произвольным доступом или ReRAM. Предложено множество вариантов реализации ячейки ReRAM, в простейшем случае рабочий слой которой должен изменять сопротивление линейным образом в широких пределах. Условно память ReRAM можно разбить на два вида. В одном случае сопротивление ячейки меняется за счёт образования в рабочем слое токопроводящих «нитей» из ионов металлов, а во втором случае сопротивление ячейки изменяется во всём рабочем слое. Австралийская компания 4DS Memory Limited как раз предлагает второй способ. По словам разработчиков из 4DS Memory, полное переключение рабочего слоя — Interface Switching ReRAM — позволит радикально упростить контроллеры памяти за счёт уменьшения числа ошибок чтения. Информация размещенная на сайте - «print-prime.ru» Фактически 4DS Memory говорит о памяти без коррекции ошибок как в случае обычной оперативной DRAM без ECC. Память типа ReRAM, MRAM и другие новые варианты энергонезависимой памяти должны занять промежуточное положение между NAND и DRAM — это так называемая память storage class memory (SCM). Проще говоря, оперативная память с возможностью хранить данные без потери после отключения питания. Сложный контроллер с коррекцией ошибок чтения только ухудшит параметры памяти SCM, которая по скорости работы должна стремиться к характеристикам DRAM. Информация размещенная на сайте - «print-prime.ru» Ранее в этом году специалисты компании 4DS Memory разработали и изготовили 40-нм ячейку фирменной памяти ReRAM. Но одно дело опытное производство в условиях лаборатории, и совсем другое массовое производство. Помочь компании создать коммерческий техпроцесс выпуска ReRAM взялся бельгийский исследовательский центр IMEC. По словам представителей центра, они планируют представить 40-нм техпроцесс выпуска ReRAM на 300-мм кремниевых подложках. Что важно, для выпуска ReRAM 4DS Memory планируется использовать обычные материалы и актуальное оборудование. Сегодня в опытах с новыми типами энергонезависимой памяти используется свыше половины элементов из таблицы Менделеева. Это всё интересно, но дорого при вводе в коммерческую эксплуатацию. В разработках важен «здоровый консерватизм», как выразились в IMEC. Что же, посмотрим, как это будет реализовано на практике.
