Среди новых и перспективных видов энергонезависимой памяти особняком стоит резистивная память с произвольным доступом или ReRAM. Предложено множество вариантов реализации ячейки ReRAM, в простейшем случае рабочий слой которой должен изменять сопротивление линейным образом в широких пределах.