В Samsung начато массовое производство первых DRAM-чипов 10-нм класса - «Новости сети»
График в мониторинге поисковых запросов: анализируйте данные эффективнее — «Блог для вебмастеров»
График в мониторинге поисковых запросов: анализируйте данные эффективнее — «Блог для вебмастеров»
Что нового Samsung показал на Galaxy Event - «Новости мира Интернет»
Что нового Samsung показал на Galaxy Event - «Новости мира Интернет»
DuRoBo представили ИИ-блокнот Krono с функциями читалки и плеера - «Новости мира Интернет»
DuRoBo представили ИИ-блокнот Krono с функциями читалки и плеера - «Новости мира Интернет»
Intel обновила функцию APO для повышения FPS в играх — увеличение производительности и поддержка новых игр - «Новости сети»
Intel обновила функцию APO для повышения FPS в играх — увеличение производительности и поддержка новых игр - «Новости сети»
Трудности перевода: китайские игроки обрушили рейтинг Hollow Knight: Silksong в Steam из-за плохой локализации - «Новости сети»
Трудности перевода: китайские игроки обрушили рейтинг Hollow Knight: Silksong в Steam из-за плохой локализации - «Новости сети»
Тяговые батареи CATL Shenxing Pro обеспечат ресурс до 1 млн км пробега - «Новости сети»
Тяговые батареи CATL Shenxing Pro обеспечат ресурс до 1 млн км пробега - «Новости сети»
Ёмкость аккумуляторов всех версий iPhone 17 раскрыта до анонса - «Новости сети»
Ёмкость аккумуляторов всех версий iPhone 17 раскрыта до анонса - «Новости сети»
К сбоям в работе SSD приводит бета-версия прошивки контроллеров Phison, а не обновление Windows 11 - «Новости сети»
К сбоям в работе SSD приводит бета-версия прошивки контроллеров Phison, а не обновление Windows 11 - «Новости сети»
OpenAI после критики GPT-5 реорганизовала команду, отвечающую за поведение ИИ - «Новости сети»
OpenAI после критики GPT-5 реорганизовала команду, отвечающую за поведение ИИ - «Новости сети»
Tencent выпустила открытую ИИ-модель, которая создаёт целые 3D-миры по одному изображению - «Новости сети»
Tencent выпустила открытую ИИ-модель, которая создаёт целые 3D-миры по одному изображению - «Новости сети»
Новости мира Интернет » Новости » Новости мира Интернет » В Samsung начато массовое производство первых DRAM-чипов 10-нм класса - «Новости сети»

  1. Компания Samsung Electronics первой в отрасли освоила массовый выпуск микрочипов DDR4 (Double-Data-Rate-4) DRAM по технологии 10-нанометрового класса. Соответствующий анонс сделан сегодня, 5 апреля.


  2. Методика 10-нанометрового класса предполагает нормы от 10 до 19 нанометров. По сравнению с аналогичными изделиями 20-нанометрового класса (от 20 до 29 нанометров) энергопотребление чипов может быть снижено на 10–20 %. К тому же число кристаллов на пластине увеличивается на 30 %, что позволяет снизить их себестоимость.

  3. В настоящее время Samsung применяет технологию 10-нанометрового класса при производстве чипов DDR4 DRAM ёмкостью 8 Гбит. На их основе будут выпускаться энергоэффективные модули оперативной памяти, поддерживающие высокую скорость передачи информации (названа цифра в 3200 Мбит/с).


  4. В дальнейшем, как ожидается, технология 10-нанометрового класса будет задействована при изготовлении модулей ОЗУ ёмкостью от 4 до 128 Гбайт. Они найдут применение в ноутбуках, настольных компьютерах, рабочих станциях, серверах и другом оборудовании, в том числе корпоративного класса.
Цитирование статьи, картинки - фото скриншот - Rambler News Service.
Иллюстрация к статье - Яндекс. Картинки.
Есть вопросы. Напишите нам.
Общие правила  поведения на сайте.

Компания Samsung Electronics первой в отрасли освоила массовый выпуск микрочипов DDR4 (Double-Data-Rate-4) DRAM по технологии 10-нанометрового класса. Соответствующий анонс сделан сегодня, 5 апреля. Методика 10-нанометрового класса предполагает нормы от 10 до 19 нанометров. По сравнению с аналогичными изделиями 20-нанометрового класса (от 20 до 29 нанометров) энергопотребление чипов может быть снижено на 10–20 %. К тому же число кристаллов на пластине увеличивается на 30 %, что позволяет снизить их себестоимость. В настоящее время Samsung применяет технологию 10-нанометрового класса при производстве чипов DDR4 DRAM ёмкостью 8 Гбит. На их основе будут выпускаться энергоэффективные модули оперативной памяти, поддерживающие высокую скорость передачи информации (названа цифра в 3200 Мбит/с). В дальнейшем, как ожидается, технология 10-нанометрового класса будет задействована при изготовлении модулей ОЗУ ёмкостью от 4 до 128 Гбайт. Они найдут применение в ноутбуках, настольных компьютерах, рабочих станциях, серверах и другом оборудовании, в том числе корпоративного класса.

0

Смотрите также

А что там на главной? )))



Комментарии )))