Компания GS Group анонсировала, как она утверждает, серийное производство первых российских твердотельных накопителей. Выпуск устройств налажен в инновационном кластере «Технополис GS».
Отмечается, что локализован весь цикл разработки и производства SSD-устройств, включая проектирование, разработку, монтаж компонентов на плате, корпусирование микросхем памяти, финальную сборку и упаковку изделий. Возможна индивидуальная аппаратная или программная настройка оборудования под конкретные требования заказчика.
GS Group представила первый серийный образец твердотельного накопителя в 2017 году. Это была 2,5-дюймовая модель объёмом 256 Гбайт. До конца нынешнего года планируется выпуск аппаратов вместимостью до 1 Тбайт, предназначенных для рабочих станций, серверов, а также СХД и других сложных многоуровневых систем.
Накопители GS Group обладают интерфейсом SATA 3.0 с максимальной скоростью передачи данных до 6 Гбит/с и показателями скорости чтения и записи данных на уровне до 550 Мбайт/с и 450 Мбайт/с соответственно.
В основе устройств лежат произведённые в «Технополисе GS» микросхемы памяти, внутри которых используются кристаллы 3D NAND последнего поколения от ведущих мировых производителей.
Компания GS Group анонсировала, как она утверждает, серийное производство первых российских твердотельных накопителей. Выпуск устройств налажен в инновационном кластере «Технополис GS». Отмечается, что локализован весь цикл разработки и производства SSD-устройств, включая проектирование, разработку, монтаж компонентов на плате, корпусирование микросхем памяти, финальную сборку и упаковку изделий. Возможна индивидуальная аппаратная или программная настройка оборудования под конкретные требования заказчика. GS Group представила первый серийный образец твердотельного накопителя в 2017 году. Это была 2,5-дюймовая модель объёмом 256 Гбайт. До конца нынешнего года планируется выпуск аппаратов вместимостью до 1 Тбайт, предназначенных для рабочих станций, серверов, а также СХД и других сложных многоуровневых систем. Накопители GS Group обладают интерфейсом SATA 3.0 с максимальной скоростью передачи данных до 6 Гбит/с и показателями скорости чтения и записи данных на уровне до 550 Мбайт/с и 450 Мбайт/с соответственно. В основе устройств лежат произведённые в «Технополисе GS» микросхемы памяти, внутри которых используются кристаллы 3D NAND последнего поколения от ведущих мировых производителей.
