Samsung обошла Intel по технологичности производства массивов SRAM - «Новости сети»
В России заработал ИИ-режим от Google - «Новости мира Интернет»
В России заработал ИИ-режим от Google - «Новости мира Интернет»
YouTube представил крупнейшее обновление интерфейса видеоплеера за последние годы - «Новости мира Интернет»
YouTube представил крупнейшее обновление интерфейса видеоплеера за последние годы - «Новости мира Интернет»
Apple представила новые MacBook Pro, iPad Pro и Vision Pro на процессоре М5 - «Новости мира Интернет»
Apple представила новые MacBook Pro, iPad Pro и Vision Pro на процессоре М5 - «Новости мира Интернет»
Microsoft добавила новые ИИ-функции для Copilot в Windows 11 - «Новости мира Интернет»
Microsoft добавила новые ИИ-функции для Copilot в Windows 11 - «Новости мира Интернет»
Honor представила концепт смартфона Robot Phone с робокамерой и ИИ - «Новости мира Интернет»
Honor представила концепт смартфона Robot Phone с робокамерой и ИИ - «Новости мира Интернет»
WhatsApp введёт лимит на безответные сообщения, чтобы бороться со спамом - «Новости сети»
WhatsApp введёт лимит на безответные сообщения, чтобы бороться со спамом - «Новости сети»
Интерес к ChatGPT на смартфонах стал угасать — пользователи проводят в приложении всё меньше времени - «Новости сети»
Интерес к ChatGPT на смартфонах стал угасать — пользователи проводят в приложении всё меньше времени - «Новости сети»
Игровой ноутбук Redmagic Titan 16 Pro 2026 за $4209 получил чип Core Ultra 9 275HX и графику GeForce RTX 5090 - «Новости сети»
Игровой ноутбук Redmagic Titan 16 Pro 2026 за $4209 получил чип Core Ultra 9 275HX и графику GeForce RTX 5090 - «Новости сети»
Представлены первые в мире смартфоны с активным жидкостным кулером и не только — геймерские Redmagic 11 Pro и Pro+ - «Новости сети»
Представлены первые в мире смартфоны с активным жидкостным кулером и не только — геймерские Redmagic 11 Pro и Pro+ - «Новости сети»
Maxsun представила компактную плату с изнаночным разъёмом для видеокарт — MS-Terminator B850 BKB WiFi - «Новости сети»
Maxsun представила компактную плату с изнаночным разъёмом для видеокарт — MS-Terminator B850 BKB WiFi - «Новости сети»
Новости мира Интернет » Новости » Новости мира Интернет » Samsung обошла Intel по технологичности производства массивов SRAM - «Новости сети»


На конференции Solid-State Circuits Conference 2018 (ISSCC) представители компании Intel подтвердили продолжение действия закона Мура, показав рост плотности транзисторов по мере снижения масштаба техпроцесса. При переходе с 14-нм техпроцесса на 10-нм размеры ячейки памяти SRAM уменьшились в 0,62–0,58 раз: до 0,0312 мкм2 для высокоплотной версии техпроцесс и 0,0367 мкм2 для низковольтной версии (подробнее см. в сводной таблице ниже).


Для производства 10-нм решений компания Intel использует иммерсионную литографию и 193-нм сканеры. Компания Samsung, как уже известно, первой начнёт коммерческую эксплуатацию EUV-сканеров с длиной волны 13,5 нм, что произойдёт во второй половине текущего года. После доклада Intel на ISSCC 2018 представитель Samsung рассказал об опытном производстве полностью рабочих 7-нм 256-Мбит массивов SRAM с использованием EUV-сканеров. Размеры 6-транзисторрной ячейки SRAM в версии Samsung оказались равны 0,026 мкм2.


Информация размещенная на сайте - «print-prime.ru»





По словам представителя Intel, компания Samsung по технологичности производства полупроводников опередила её «в пределах каких-то 15 %». Однако аналитики заметили, что Intel впервые публично призналась в том, что по совершенству производства она идёт за кем-то следом. Это сам по себе знаковый факт.


Также в Samsung сообщили, что смогли на 75 % снизить сопротивление разрядной шины, что обычно является вызовом для проектировщиков. Ещё одним положительным моментом стало снижение на 20 % нестабильности при установке минимальных рабочих напряжений. Наконец, использование EUV-проекции дало больше простора проектировщикам для маневрирования количеством сквозных металлизированных соединений (скорее всего, речь об увеличении числа сквозных соединений, что упрощает горизонтальную разводку). Всего для производства 256-Мбит массива SRAM компания использовала EUV-проекцию для 3–4 рабочих слоёв.


Информация размещенная на сайте - «print-prime.ru»





В связи с успехами Samsung по внедрению EUV-литографии нелишне вспомнить о компании TSMC. Тайваньский контрактник на конференции рассказал о 7-нм трансляторе для кеш-памяти L1, рабочая частота которого составляла 4,4 ГГц. Для сравнения, частоты трансляторов кеш-памяти L1, выполненные с использованием 16-нм техпроцесса, доходят до 3 ГГц. Подобный рост производительности при переходе на 7-нм техпроцесс несомненно понравится как разработчикам SoC для смартфонов, так и проектировщикам CPU и ускорителей вычислений.
Цитирование статьи, картинки - фото скриншот - Rambler News Service.
Иллюстрация к статье - Яндекс. Картинки.
Есть вопросы. Напишите нам.
Общие правила  поведения на сайте.

На конференции Solid-State Circuits Conference 2018 (ISSCC) представители компании Intel подтвердили продолжение действия закона Мура, показав рост плотности транзисторов по мере снижения масштаба техпроцесса. При переходе с 14-нм техпроцесса на 10-нм размеры ячейки памяти SRAM уменьшились в 0,62–0,58 раз: до 0,0312 мкм2 для высокоплотной версии техпроцесс и 0,0367 мкм2 для низковольтной версии (подробнее см. в сводной таблице ниже). Для производства 10-нм решений компания Intel использует иммерсионную литографию и 193-нм сканеры. Компания Samsung, как уже известно, первой начнёт коммерческую эксплуатацию EUV-сканеров с длиной волны 13,5 нм, что произойдёт во второй половине текущего года. После доклада Intel на ISSCC 2018 представитель Samsung рассказал об опытном производстве полностью рабочих 7-нм 256-Мбит массивов SRAM с использованием EUV-сканеров. Размеры 6-транзисторрной ячейки SRAM в версии Samsung оказались равны 0,026 мкм2. Информация размещенная на сайте - «print-prime.ru» По словам представителя Intel, компания Samsung по технологичности производства полупроводников опередила её «в пределах каких-то 15 %». Однако аналитики заметили, что Intel впервые публично призналась в том, что по совершенству производства она идёт за кем-то следом. Это сам по себе знаковый факт. Также в Samsung сообщили, что смогли на 75 % снизить сопротивление разрядной шины, что обычно является вызовом для проектировщиков. Ещё одним положительным моментом стало снижение на 20 % нестабильности при установке минимальных рабочих напряжений. Наконец, использование EUV-проекции дало больше простора проектировщикам для маневрирования количеством сквозных металлизированных соединений (скорее всего, речь об увеличении числа сквозных соединений, что упрощает горизонтальную разводку). Всего для производства 256-Мбит массива SRAM компания использовала EUV-проекцию для 3–4 рабочих слоёв. Информация размещенная на сайте - «print-prime.ru» В связи с успехами Samsung по внедрению EUV-литографии нелишне вспомнить о компании TSMC. Тайваньский контрактник на конференции рассказал о 7-нм трансляторе для кеш-памяти L1, рабочая частота которого составляла 4,4 ГГц. Для сравнения, частоты трансляторов кеш-памяти L1, выполненные с использованием 16-нм техпроцесса, доходят до 3 ГГц. Подобный рост производительности при переходе на 7-нм техпроцесс несомненно понравится как разработчикам SoC для смартфонов, так и проектировщикам CPU и ускорителей вычислений.

0

Смотрите также

А что там на главной? )))



Комментарии )))