Учёные НИТУ «МИСиС», по сообщению газеты «Известия», предложили новый способ создания двумерных полупроводников с заданными свойствами.
Речь идёт о плёнках толщиной всего в одну молекулу. Российские исследователи уже успешно провели эксперимент по контролируемому созданию материала на основе частично окисленного оксида бора.
Технология предусматривает возможность контролируемым способом менять ширину запрещённой зоны. Осуществляется это путём изменения концентрации кислорода.
Запрещённая зона — область значений энергии, которыми не может обладать электрон в идеальном (бездефектном) кристалле. По ширине запрещённой зоны твёрдые вещества — по их электрическим свойствам — условно разделяют на металлы, полупроводники и диэлектрики.
«Нанося разное количество кислорода на разные части нитрида бора, можно управлять его "проводимостью" и как бы рисовать на плёнке нужную микросхему», — пишут «Известия».
Предложенную технологию теоретически можно использовать в таких областях науки и техники, как фотовольтаика, оптоэлектроника, хранение энергии. Учёные уже говорят, что результаты их работы в перспективе могут привести к появлению нанопроцессоров. Такие чипы будут потреблять существенно меньше энергии по сравнению с сегодняшними изделиями. Это приведёт к миниатюризации аккумуляторов и появлению массовой «незаметной» электроники — невесомых кардиостимуляторов, дешёвых очков с дополненной реальностью, телефонов-серёжек и других гаджетов, которые пока сделать либо дорого, либо вообще невозможно.
Учёные НИТУ «МИСиС», по сообщению газеты «Известия», предложили новый способ создания двумерных полупроводников с заданными свойствами. Речь идёт о плёнках толщиной всего в одну молекулу. Российские исследователи уже успешно провели эксперимент по контролируемому созданию материала на основе частично окисленного оксида бора. Технология предусматривает возможность контролируемым способом менять ширину запрещённой зоны. Осуществляется это путём изменения концентрации кислорода. Запрещённая зона — область значений энергии, которыми не может обладать электрон в идеальном (бездефектном) кристалле. По ширине запрещённой зоны твёрдые вещества — по их электрическим свойствам — условно разделяют на металлы, полупроводники и диэлектрики. «Нанося разное количество кислорода на разные части нитрида бора, можно управлять его
