Несколько часов тому назад компания Western Digital анонсировала готовность дизайна фирменной 96-слойной BiCS4 3D NAND-памяти, который она разрабатывала в рамках сотрудничества с Toshiba. Естественно, аналогичный анонс должна была сделать и японская компания, ведь совместное предприятие Flash Forward, в котором пока ещё состоят Western Digital и Toshiba, предполагает не только одинаковый доступ к производственным мощностям, но и равноправное участие в разработках. Однако Toshiba решила заострить внимание на другой части проделанной работы и объявила о том, что она первой создала устройство BiCS-флеш, способное хранить по 4 бита в одной ячейке.
Иными словами, этим анонсом Toshiba решила открыть эру массовой QLC NAND — флеш-памяти, которая предлагает на треть большую плотность хранения данных по сравнению с TLC NAND за счёт способности различать не восемь, а шестнадцать различных величин заряда в каждой ячейке. Для этого разработчикам пришлось внести кардинальные изменения в применяемую электронную обвязку флеш-памяти, но судя по всему, никаких особых проблем с этим не возникло.
Созданные устройства QLC NAND основываются на фирменной 64-слойной BiCS3 3D NAND и позволяют создавать полупроводниковые ядра с ёмкостью до 768 Гбит (96 Гбайт). Как сообщает Toshiba, несмотря на неминуемое снижение надёжности, основанные на 3D QLC NAND микросхемы вполне могут применяться в твердотельных накопителях для потребительского и серверного сегмента, а также в картах памяти. Более того, пару недель назад компания уже успела разослать образцы своей новой продукции разработчикам контроллеров SSD и ведущим производителям твердотельных накопителей из числа партнёров. Поэтому в скором времени SSD на базе 3D QLC NAND вполне могут стать реальностью.
Попутно Toshiba сообщила о том, что она обладает технологий, позволяющей штабелировать полупроводниковые кристаллы 3D QLC NAND в одной микросхеме в количестве до 16 штук. Таким образом, при необходимости компания имеет возможность выпускать чипы флеш-памяти с суммарной ёмкостью до 1,5 Тбайт, что является рекордом для отрасли.
Что же касается перспективной 96-слойной памяти BiCS4 3D NAND, то она тоже анонсирована Toshiba, но пока исключительно в виде первых прототипов в варианте TLC и с ёмкостью кристаллов 256 Гбит. Как и в случае Western Digital, первые образцы такой памяти должны будут стать доступны для партнёров во второй половине года, а начало массового производства намечено на 2018-й. При этом Toshiba не отрицает возможность применения QLC-ячеек и в BiCS4-памяти, однако конкретная информация об этом появится позднее.
Как ожидается, технические подробности о QLC BiCS3 3D NAND и TLC BiCS4 3D NAND авторства Toshiba будут обнародованы в рамках конференции Flash Memory Summit, которая пройдёт с 7 по 10 августа в Санта-Кларе.
Несколько часов тому назад компания Western Digital анонсировала готовность дизайна фирменной 96-слойной BiCS4 3D NAND-памяти, который она разрабатывала в рамках сотрудничества с Toshiba. Естественно, аналогичный анонс должна была сделать и японская компания, ведь совместное предприятие Flash Forward, в котором пока ещё состоят Western Digital и Toshiba, предполагает не только одинаковый доступ к производственным мощностям, но и равноправное участие в разработках. Однако Toshiba решила заострить внимание на другой части проделанной работы и объявила о том, что она первой создала устройство BiCS-флеш, способное хранить по 4 бита в одной ячейке. Иными словами, этим анонсом Toshiba решила открыть эру массовой QLC NAND — флеш-памяти, которая предлагает на треть большую плотность хранения данных по сравнению с TLC NAND за счёт способности различать не восемь, а шестнадцать различных величин заряда в каждой ячейке. Для этого разработчикам пришлось внести кардинальные изменения в применяемую электронную обвязку флеш-памяти, но судя по всему, никаких особых проблем с этим не возникло. Созданные устройства QLC NAND основываются на фирменной 64-слойной BiCS3 3D NAND и позволяют создавать полупроводниковые ядра с ёмкостью до 768 Гбит (96 Гбайт). Как сообщает Toshiba, несмотря на неминуемое снижение надёжности, основанные на 3D QLC NAND микросхемы вполне могут применяться в твердотельных накопителях для потребительского и серверного сегмента, а также в картах памяти. Более того, пару недель назад компания уже успела разослать образцы своей новой продукции разработчикам контроллеров SSD и ведущим производителям твердотельных накопителей из числа партнёров. Поэтому в скором времени SSD на базе 3D QLC NAND вполне могут стать реальностью. Попутно Toshiba сообщила о том, что она обладает технологий, позволяющей штабелировать полупроводниковые кристаллы 3D QLC NAND в одной микросхеме в количестве до 16 штук. Таким образом, при необходимости компания имеет возможность выпускать чипы флеш-памяти с суммарной ёмкостью до 1,5 Тбайт, что является рекордом для отрасли. Что же касается перспективной 96-слойной памяти BiCS4 3D NAND, то она тоже анонсирована Toshiba, но пока исключительно в виде первых прототипов в варианте TLC и с ёмкостью кристаллов 256 Гбит. Как и в случае Western Digital, первые образцы такой памяти должны будут стать доступны для партнёров во второй половине года, а начало массового производства намечено на 2018-й. При этом Toshiba не отрицает возможность применения QLC-ячеек и в BiCS4-памяти, однако конкретная информация об этом появится позднее. Как ожидается, технические подробности о QLC BiCS3 3D NAND и TLC BiCS4 3D NAND авторства Toshiba будут обнародованы в рамках конференции Flash Memory Summit, которая пройдёт с 7 по 10 августа в Санта-Кларе.
