IT-корпорация IBM объявила о создании первых рабочих образцов процессоров с транзисторами размером 5 нанометров. Разработка велась совместно с компаниями GlobalFoundries и Samsung Electronics.
Новая технология позволяет размещать на одном чипе размером с человеческий ноготь до 30 млрд транзисторов и использовать их в самом различном оборудовании — от смартфонов до космических кораблей. Первые в мире 7-нм чипы, анонсированные IBM два года назад, имели 20 млрд транзисторов.
Более высокая плотность размещения транзисторов в микросхеме увеличивает скорость прохождения сигнала между ними. В IBM утверждают, что 5-нм решения на 40 % производительнее нынешних 10-нм чипов или на 75 % энергоэффективнее их при одинаковом быстродействии.
Представленный чип использует новый тип транзисторов, объединённых в так называемые кремниевые нанолисты (silicon nanosheets). Они посылают электроны через четыре затвора, тогда в случае с транзисторами FinFET (считаются наиболее продвинутыми на данный момент на массовом рынке) речь идёт о трёх затворах. Технология FinFET появилась в 22- и 14-нм полупроводниках, ожидается, что она останется в 7-нм чипах. Полупроводниковая отрасль отходит от FinFET, поскольку технология не способна масштабироваться геометрически, заявил вице-президент по исследованиям полупроводниковых технологий IBM Research Мукеш Харе (Mukesh Khare).
«Уход за пределы 7 нанометров является важной инновацией, — комментирует Харе. — Это инновация в конструктивном плане и том, как всё больше транзисторов собираются вместе. Эта структура транзисторов открывает путь к настоящему 5-нм техпроцессу».
На данный момент ещё рано говорить о коммерческом выходе 5-нм микросхем (ориентировочные сроки — 2020 год). Однако уже известно, что для производства таких решений IBM будет использовать технологию фотолитографии в глубоком ультрафиолете (extreme ultraviolet lithography, EUV).
IT-корпорация IBM объявила о создании первых рабочих образцов процессоров с транзисторами размером 5 нанометров. Разработка велась совместно с компаниями GlobalFoundries и Samsung Electronics. Новая технология позволяет размещать на одном чипе размером с человеческий ноготь до 30 млрд транзисторов и использовать их в самом различном оборудовании — от смартфонов до космических кораблей. Первые в мире 7-нм чипы, анонсированные IBM два года назад, имели 20 млрд транзисторов. Более высокая плотность размещения транзисторов в микросхеме увеличивает скорость прохождения сигнала между ними. В IBM утверждают, что 5-нм решения на 40 % производительнее нынешних 10-нм чипов или на 75 % энергоэффективнее их при одинаковом быстродействии. Представленный чип использует новый тип транзисторов, объединённых в так называемые кремниевые нанолисты (silicon nanosheets). Они посылают электроны через четыре затвора, тогда в случае с транзисторами FinFET (считаются наиболее продвинутыми на данный момент на массовом рынке) речь идёт о трёх затворах. Технология FinFET появилась в 22- и 14-нм полупроводниках, ожидается, что она останется в 7-нм чипах. Полупроводниковая отрасль отходит от FinFET, поскольку технология не способна масштабироваться геометрически, заявил вице-президент по исследованиям полупроводниковых технологий IBM Research Мукеш Харе (Mukesh Khare). «Уход за пределы 7 нанометров является важной инновацией, — комментирует Харе. — Это инновация в конструктивном плане и том, как всё больше транзисторов собираются вместе. Эта структура транзисторов открывает путь к настоящему 5-нм техпроцессу». На данный момент ещё рано говорить о коммерческом выходе 5-нм микросхем (ориентировочные сроки — 2020 год). Однако уже известно, что для производства таких решений IBM будет использовать технологию фотолитографии в глубоком ультрафиолете (extreme ultraviolet lithography, EUV).
