Samsung обошла Intel по технологичности производства массивов SRAM - «Новости сети»
На конференции Solid-State Circuits Conference 2018 (ISSCC) представители компании Intel подтвердили продолжение действия закона Мура, показав рост плотности транзисторов по мере снижения масштаба техпроцесса. При переходе с 14-нм техпроцесса на 10-нм размеры ячейки памяти SRAM уменьшились в
15
фев