За использование FinFET-транзисторов Samsung должна уплатить штраф в $400 млн - «Новости сети»
По данным источников, в Федеральном суде Техаса жюри присяжных вынесло вердикт о виновности компании Samsung в патентом споре с южнокорейским институтом KAIST (Korea Advanced Institute of Science and Technology). Американское подразделение KAIST IP со штаб-квартирой в Далласе подало иск против ...

17
июн