Исследователи из Московского физико-технического института (МФТИ) впервые вырастили сверхтонкие (2,5 нанометра) сегнетоэлектрические плёнки на основе оксида гафния, которые могут стать основой для элементов энергонезависимой памяти нового типа. Речь идёт о запоминающих устройствах ...