✔Китайская YMTC совершила очередной технологический прорыв в производстве памяти 3D NAND, находясь под санкциями - «Новости сети»

28 января 2025 16 Новости / Новости мира Интернет 0

Источник изображения: YMTC

Как поясняет South China Morning Post со ссылкой на отчёт канадской компании TechInsights, которая специализируется на «разоблачении» китайских производителей чипов, в составе твердотельного накопителя ZhiTai TiPro9000 её специалистам удалось обнаружить новые микросхемы 3D NAND высокой плотности, использующие двухъярусную компоновку слоёв. Первый ярус содержит 150 затворов, второй 144 затвора, что в итоге обеспечивает наличие 294 затворов. При этом две кремниевые пластины сращиваются для обеспечения подобной компоновки.

Ранее YMTC могла размещать на одном ярусе не более 180 затворов, новый подход увеличивает их количество на 114 штук. Более того, такие микросхемы памяти позволяют обеспечить плотность хранения информации более 20 Гбит на квадратный миллиметр, чего не может предложить ни одна другая память из существующих на рынке. Если ранее пределом для YMTC был выпуск 160-слойных микросхем памяти 3D NAND, то теперь количество слоёв увеличивается до 270 штук. Технология компоновки Xtacking 4.0 позволила компании добиться прогресса в характеристиках памяти в условиях ограничений со стороны западных поставщиков оборудования.

Компания YMTC развивалась семимильными шагами, пока американские власти не захотели замедлить этот прогресс, введя санкции против полупроводникового сектора Китая в целом. Как отмечают эксперты TecnInsights, даже в условиях санкций YMTC продолжила совершенствовать технологии производства памяти 3D NAND, и недавно освоила дизайн микросхем, предусматривающий наличие около 270 активных слоёв. Источник изображения: YMTC Как поясняет South China Morning Post со ссылкой на отчёт канадской компании TechInsights, которая специализируется на «разоблачении» китайских производителей чипов, в составе твердотельного накопителя ZhiTai TiPro9000 её специалистам удалось обнаружить новые микросхемы 3D NAND высокой плотности, использующие двухъярусную компоновку слоёв. Первый ярус содержит 150 затворов, второй 144 затвора, что в итоге обеспечивает наличие 294 затворов. При этом две кремниевые пластины сращиваются для обеспечения подобной компоновки. Ранее YMTC могла размещать на одном ярусе не более 180 затворов, новый подход увеличивает их количество на 114 штук. Более того, такие микросхемы памяти позволяют обеспечить плотность хранения информации более 20 Гбит на квадратный миллиметр, чего не может предложить ни одна другая память из существующих на рынке. Если ранее пределом для YMTC был выпуск 160-слойных микросхем памяти 3D NAND, то теперь количество слоёв увеличивается до 270 штук. Технология компоновки Xtacking 4.0 позволила компании добиться прогресса в характеристиках памяти в условиях ограничений со стороны западных поставщиков оборудования.