Часто комментарии к новостям из Китая по поводу разработки национальных технологий производства памяти сводятся к тому, что «китайская» память 3D NAND или DRAM не выйдет за пределы страны. Во-первых, кто позволит (патенты и прочее)? Во-вторых, самим, мол, не хватает.
Вопрос с дефицитом производства памяти в Китае должен быть решён в течение следующих пяти лет. Одна только компания Yangtze Memory Technologies (YMTC) собирается довести объёмы производства 3D NAND до 350–400 тыс. 300-мм пластин в месяц. И на этом ни она, ни другие компании не остановятся, если потребность в продукции будет нарастать.
Информация сайта - «print-prime.ru»
Вопрос с патентами сложнее и проще одновременно. Сложность заключается в разработке и в защите технологий на мировом уровне. Китай новичок на рынке 3D NAND, тогда как мировые лидеры занимаются разработками и производством флеш-памяти NAND порядка трёх десятков лет. Но отставание — это не повод отчаиваться, не так ли? Для правильных парней это лишь предложение мобилизоваться и стать вровень с мировыми лидерами. Что касается простоты, то достаточно посмотреть на молниеносность решения Народного суда в Китае, который в спорной ситуации принял сторону отечественной компании и запретил продажу продукции Micron.
Вчера Китай в лице компании Yangtze Memory Technologies (дочернее предприятие холдинга Tsinghua Unigroup) сделал важное заявление. Впервые в истории представитель китайского производителя флеш-памяти на равных с лидерами отрасли примет участие в ежегодном саммите Flash Memory Summit (2018). И не просто поучаствует в мероприятии, а выступит с докладом, в котором будут раскрыты детали новой архитектуры 3D NAND, способной перевернуть представление о производительности флеш-памяти и памяти типа DRAM.
![]()
Исполнительный директор YMTC Саймон Янг (Simon Yang) представит разработанную в Китае технологию Xtacking. Технология обещает «рывком» повысить скорость обмена с микросхемами 3D NAND и сопутствующей I/O-периферией. Это откроет путь для повышения производительности встраиваемой памяти, а также клиентских и серверных SSD до «неслыханного» уровня. Тем самым откроется «новая глава» в производительности NAND-продукции для смартфонов, персональных компьютеров, ЦОД и накопителей корпоративного назначения.
Технология Xtacking опирается на параллельную обработку данных в массивах NAND и периферии. Она приведёт к модульной структуре 3D NAND, что ускорит разработку и появление на рынке новых продуктов. Другие подробности о разработке мы узнаем в десятых числах августа. Пока нам достаточно знать, что Китай в игре.
Часто комментарии к новостям из Китая по поводу разработки национальных технологий производства памяти сводятся к тому, что «китайская» память 3D NAND или DRAM не выйдет за пределы страны. Во-первых, кто позволит (патенты и прочее)? Во-вторых, самим, мол, не хватает. Вопрос с дефицитом производства памяти в Китае должен быть решён в течение следующих пяти лет. Одна только компания Yangtze Memory Technologies (YMTC) собирается довести объёмы производства 3D NAND до 350–400 тыс. 300-мм пластин в месяц. И на этом ни она, ни другие компании не остановятся, если потребность в продукции будет нарастать. Информация сайта - «print-prime.ru» Вопрос с патентами сложнее и проще одновременно. Сложность заключается в разработке и в защите технологий на мировом уровне. Китай новичок на рынке 3D NAND, тогда как мировые лидеры занимаются разработками и производством флеш-памяти NAND порядка трёх десятков лет. Но отставание — это не повод отчаиваться, не так ли? Для правильных парней это лишь предложение мобилизоваться и стать вровень с мировыми лидерами. Что касается простоты, то достаточно посмотреть на молниеносность решения Народного суда в Китае, который в спорной ситуации принял сторону отечественной компании и запретил продажу продукции Micron. Вчера Китай в лице компании Yangtze Memory Technologies (дочернее предприятие холдинга Tsinghua Unigroup) сделал важное заявление. Впервые в истории представитель китайского производителя флеш-памяти на равных с лидерами отрасли примет участие в ежегодном саммите Flash Memory Summit (2018). И не просто поучаствует в мероприятии, а выступит с докладом, в котором будут раскрыты детали новой архитектуры 3D NAND, способной перевернуть представление о производительности флеш-памяти и памяти типа DRAM. Исполнительный директор YMTC Саймон Янг (Simon Yang) представит разработанную в Китае технологию Xtacking. Технология обещает «рывком» повысить скорость обмена с микросхемами 3D NAND и сопутствующей I/O-периферией. Это откроет путь для повышения производительности встраиваемой памяти, а также клиентских и серверных SSD до «неслыханного» уровня. Тем самым откроется «новая глава» в производительности NAND-продукции для смартфонов, персональных компьютеров, ЦОД и накопителей корпоративного назначения. Технология Xtacking опирается на параллельную обработку данных в массивах NAND и периферии. Она приведёт к модульной структуре 3D NAND, что ускорит разработку и появление на рынке новых продуктов. Другие подробности о разработке мы узнаем в десятых числах августа. Пока нам достаточно знать, что Китай в игре.
