Сетевые источники подтверждают ранее появившуюся информацию о том, что следующий флагманский процессор Qualcomm — Snapdragon 845 — будет изготавливаться по 10-нанометровой технологии.
Напомним, что по 10-нанометровой методике производится нынешний чип Snapdragon 835. Ранее ходили слухи, что Qualcomm планировала представить 7-нанометровые изделия до конца текущего года. И как раз на декабрь якобы запланирована презентация решения Snapdragon 845. Таким образом, можно было предположить, что для этого процессора рассматривается применение 7-нанометровой технологии. Но этого не произойдёт.
Веб-источники заявляют, что чип Snapdragon 845 будет 10-нанометровым. Он получит восемь вычислительных ядер — квартеты ARM Cortex-A75 и ARM Cortex-A53. В состав изделия войдёт мощный графический ускоритель Adreno 630.
Процессор будет нести на борту сотовый модем LTE X20 для работы в мобильных сетях со скоростью передачи данных до 1,2 Гбит/с. Упомянута поддержка беспроводной связи Wi-Fi 802.11ас и WiGig 802.11ad.
Наконец, говорится, что чип обеспечит возможность использования сдвоенных камер с разрешением до 25 млн пикселей во фронтальной и тыльной частях смартфонов.
Сетевые источники подтверждают ранее появившуюся информацию о том, что следующий флагманский процессор Qualcomm — Snapdragon 845 — будет изготавливаться по 10-нанометровой технологии. Напомним, что по 10-нанометровой методике производится нынешний чип Snapdragon 835. Ранее ходили слухи, что Qualcomm планировала представить 7-нанометровые изделия до конца текущего года. И как раз на декабрь якобы запланирована презентация решения Snapdragon 845. Таким образом, можно было предположить, что для этого процессора рассматривается применение 7-нанометровой технологии. Но этого не произойдёт. Веб-источники заявляют, что чип Snapdragon 845 будет 10-нанометровым. Он получит восемь вычислительных ядер — квартеты ARM Cortex-A75 и ARM Cortex-A53. В состав изделия войдёт мощный графический ускоритель Adreno 630. Процессор будет нести на борту сотовый модем LTE X20 для работы в мобильных сетях со скоростью передачи данных до 1,2 Гбит/с. Упомянута поддержка беспроводной связи Wi-Fi 802.11ас и WiGig 802.11ad. Наконец, говорится, что чип обеспечит возможность использования сдвоенных камер с разрешением до 25 млн пикселей во фронтальной и тыльной частях смартфонов.
