Как известно, по технологичности производства оперативной памяти DRAM компания Samsung Electronics примерно на два года опережает конкурентов: компании SK Hynix и Micron. Массовый выпуск микросхем DRAM 10-нм класса (с нормами 18 нм) компания Samsung начала в марте 2016 года. Компания Micron к выпуску 18-нм микросхем памяти приступила в первом квартале текущего года, а компания SK Hynix планирует начать производство 18-нм памяти во второй половине текущего года. Уменьшение масштаба технологических норм положительно сказывается на операционной прибыли компаний, ведь с одной пластины выходит больше микросхем (если речь не идёт о большом уровне брака, вероятность которого повышается по мере уменьшения размера элементов).
По оценкам аналитиков DRAMeXchange, при выпуске DRAM норма операционной прибыли Samsung находится на высшем среди конкурентов уровне и равна 54 %. Компания SK Hynix показывает меньший результат — 47 %, тогда как у компании Micron этот параметр равен 32,5 %. За счёт передовых техпроцессов и производства в Китае компании Samsung (и отчасти SK Hynix) с каждой проданной микросхемы памяти удаётся зарабатывать больше, чем Micron. Очевидно, что Micron, как SK Hynix, необходимо форсировать разработку техпроцессов выпуска памяти с нормами класса 10 нм. И они этим намерены заняться.
Сообщается, что в ближайшие два или три года компания Micron вложит в разработку техпроцесса с нормами 13 нм порядка $2 млрд. Уровень выхода микросхем с нормами 13 нм увеличится на 20 % по сравнению с уровнем выхода микросхем с нормами 18 нм. В качестве подготовки к производству с нормами 13 нм компания Micron якобы расширила чистую комнату на заводе в Хиросиме (Япония), который перешёл к ней вместе с активами компании Elpida. Также, если верить источникам, Micron начала закупать необходимое производственное оборудование. Можно ожидать, что выпуск 13-нм DRAM компания Micron начнёт в 2020 году или около того.
Компания SK Hynix также начала разработки нового техпроцесса класса 10 нм (кодовое название 1y), но подробностей о нём пока нет. К первому поколению относится техпроцесс с нормами 18 нм. В производство он будет запущен, как сказано выше, во второй половине текущего года. Перевод 20-нм производства DRAM на 18-нм нормы SK Hynix начнёт только в следующем году. Когда и каким будет следующий шаг, в компании не уточняют.
Компания Samsung, напомним, по одним данным начнёт выпуск 15-нм DRAM во второй половине текущего года, а по другим — после 2020 года. На вторую половину текущего года Samsung может готовить производство 17-нм микросхем памяти. Это более вероятный сценарий, поскольку техпроцесс с нормами 15 нм считается технологическим барьером для традиционных технологий производства памяти. Его можно освоить, но экономической целесообразности он не несёт. Необходимы какие-то иные технологические решения. Будет интересно узнать, кто найдёт их первым.
Как известно, по технологичности производства оперативной памяти DRAM компания Samsung Electronics примерно на два года опережает конкурентов: компании SK Hynix и Micron. Массовый выпуск микросхем DRAM 10-нм класса (с нормами 18 нм) компания Samsung начала в марте 2016 года. Компания Micron к выпуску 18-нм микросхем памяти приступила в первом квартале текущего года, а компания SK Hynix планирует начать производство 18-нм памяти во второй половине текущего года. Уменьшение масштаба технологических норм положительно сказывается на операционной прибыли компаний, ведь с одной пластины выходит больше микросхем (если речь не идёт о большом уровне брака, вероятность которого повышается по мере уменьшения размера элементов). По оценкам аналитиков DRAMeXchange, при выпуске DRAM норма операционной прибыли Samsung находится на высшем среди конкурентов уровне и равна 54 %. Компания SK Hynix показывает меньший результат — 47 %, тогда как у компании Micron этот параметр равен 32,5 %. За счёт передовых техпроцессов и производства в Китае компании Samsung (и отчасти SK Hynix) с каждой проданной микросхемы памяти удаётся зарабатывать больше, чем Micron. Очевидно, что Micron, как SK Hynix, необходимо форсировать разработку техпроцессов выпуска памяти с нормами класса 10 нм. И они этим намерены заняться. Сообщается, что в ближайшие два или три года компания Micron вложит в разработку техпроцесса с нормами 13 нм порядка $2 млрд. Уровень выхода микросхем с нормами 13 нм увеличится на 20 % по сравнению с уровнем выхода микросхем с нормами 18 нм. В качестве подготовки к производству с нормами 13 нм компания Micron якобы расширила чистую комнату на заводе в Хиросиме (Япония), который перешёл к ней вместе с активами компании Elpida. Также, если верить источникам, Micron начала закупать необходимое производственное оборудование. Можно ожидать, что выпуск 13-нм DRAM компания Micron начнёт в 2020 году или около того. Компания SK Hynix также начала разработки нового техпроцесса класса 10 нм (кодовое название 1y), но подробностей о нём пока нет. К первому поколению относится техпроцесс с нормами 18 нм. В производство он будет запущен, как сказано выше, во второй половине текущего года. Перевод 20-нм производства DRAM на 18-нм нормы SK Hynix начнёт только в следующем году. Когда и каким будет следующий шаг, в компании не уточняют. Компания Samsung, напомним, по одним данным начнёт выпуск 15-нм DRAM во второй половине текущего года, а по другим — после 2020 года. На вторую половину текущего года Samsung может готовить производство 17-нм микросхем памяти. Это более вероятный сценарий, поскольку техпроцесс с нормами 15 нм считается технологическим барьером для традиционных технологий производства памяти. Его можно освоить, но экономической целесообразности он не несёт. Необходимы какие-то иные технологические решения. Будет интересно узнать, кто найдёт их первым.
