Два с половиной года назад компания Samsung начала первой выпускать многослойную флеш-память типа 3D NAND. Уход в вертикаль дал возможность уменьшить площадь кристалла на пластине и увеличить число выхода микросхем с каждой пластины (или снижение себестоимости). При этом для выпуска многослойной