Переход с кремния на полупроводники с широкой запрещённой зоной (нитрид галлия, карбид кремния и другие) позволяет значительно поднять рабочие частоты и повысить эффективность решений. Поэтому одной из сфер перспективного применения широкозонных чипов и транзисторов является связь и радары.