Московский физико-технический институт (МФТИ) и компания «Крокус НаноЭлектроника» (КНЭ) сообщили о начале совместной исследовательской программы по разработке и апробации технологии производства магниторезистивной памяти STT-MRAM. Память MRAM хранит информацию при помощи магнитных моментов.